Чем заменить транзистор tip42c
Транзистор TIP42C
TIP42C — кремниевый, планарно-эпитаксиальный PNP транзистор. Конструктивное исполнение – преимущественно TO-220.
Корпус и цоколевка
Применение
Разработан для применения в усилителях общего назначения, аудио усилителях и переключающих устройствах.
Характерные особенности
Предельные эксплуатационные характеристики
Данные в таблице действительны при Ta=25°C, если не указано иное.
٭ — для транзисторов PNP-структуры все значения токов и напряжений указаны по модулю.
Типовые термические характеристики
| Характеристика | Символ | Величина |
|---|---|---|
| Тепловое сопротивление: коллекторный переход – внешняя среда, °С/Вт | RƟJA | 57 |
| Тепловое сопротивление: коллекторный переход – корпус транзистора, °С/Вт | RƟJC | 1,67 |
Электрические параметры
Данные в таблице действительны при температуре внешней среды Ta = 25°C
| Характеристика | Обознач. | Параметры при измерениях | Значения ** |
|---|---|---|---|
| Ток коллектора выключения, мА | ICES | UCE = 100 В, UEB = 0 | ≤ 0,4 |
| Ток выключения коллектор-эмиттер, мА | ICEO | UCE = 60 В, IB = 0 | ≤ 0,7 |
| Ток базы выключения, мА | IEBO | UBE = 5 В, IC =0 | ≤ 1 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В * | UCE(sat) | IC = 6 А, IB = 600 мА | ≤ 1,5 В |
| Напряжение включения база-эмиттер, В * | UBE(ON) | IC = 6 А, UCE = 4,0 В | ≤ 2,0 |
| Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В * | UCEO(sus) | IC = 30 мА, IB = 0 | 100 |
| Статический коэффициент усиления по току * | hFE (1) | UCE = 4 В, IC = 0,3 А | ≥ 30 |
| hFE (2) | UCE = 4 В, IC = 3 А | от 15 до 75 | |
| Частота среза, МГц | fT | UCE = 10 В, IC = 0,5 мА ftest = 1,0 МГц | 3 |
٭ — параметры сняты в импульсном режиме: ширина импульса 300 мкс, коэффициент заполнения (скважность) ≤ 2 %.
٭٭ — для транзисторов PNP-структуры все значения токов и напряжений указаны по модулю.
Модификации и группы транзисторов TIP42C
| Модель | PC, TC=25°C | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TIP42C | 65 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15. 75 | TO-220 |
| TO-220AB | ||||||||||
| TO-220C | ||||||||||
| TIP42C | 25 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15. 75 | TO-220IS |
| TIP42CG/L | 65 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15. 75 | TO-220 |
| 300 | 15. 75 | TO-263 | ||||||||
| TIP42CG/L | 22 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15. 75 | TO-220F |
| TIP42CG/L | 20 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15. 75 | TO-252 |
| STTIP42C | 65 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15. 75 | TO-220 |
| HTIP42C | 65 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15. 75 | TO-220 |
| TIP42E | 65 | 180 | 140 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15. 75 | TO-220C |
| TIP42F | 65 | 200 | 160 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15. 75 | TO-220C |
| TIP42P | 100 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15. 75 | TO-3P |
Примечание: G – без соединений галогенов, L – без соединений свинца.
— в информационном листке (даташит) компании-производителя “STMicroelectronics” классификация по группам вводится в обозначение типа транзистора:
— в информационном листке компании “Unisonic Technologies” группы по hFE так же вводятся в обозначение транзистора, но обозначение и границы групп другие:
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые планарно-эпитаксиальные, PNP, универсальные, низкочастотные. Разработаны для применения в усилителях низкой частоты, дифференциальных и операционных усилителях, переключающих устройствах и других схемах.
Отечественное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UEB | IC/ICM | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TIP42C | 65 | 100 | 100 | 5 | 6/10 | 150 | 3 | — | от 15 до 75 | TO-220 |
| КТ818Г | 60 | 90 | 90 | 5 | 10/15 | 150 | 3 | 500 | ˃ 12 | TO-220 |
| КТ8213А | 65 | 100 | 100 | 5 | 6/10 | 150 | 3 | — | от 15 до 75 | TO-220 |
| КТ8215 | 50 | 100 | 100 | 5 | 2/4 | 150 | 3 | — | от 500 до 1000 | TO-220 |
| КТ816Г | 25 | 100 | 100 | 5 | 3/6 | 150 | 3 | 60 | 25 | SOT-32 |
Зарубежное производство
Все аналоги в корпусе TO-220.
| Модель | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | CC | hFE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TIP42C | 65 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 20 |
| 2N6125 | 40 | 80 | 80 | 5 | 4 | 150 | 2 | — | 20 |
| 2N6126 | 40 | 80 | 80 | 5 | 4 | 150 | 2 | — | 20 |
| 2SA1010 | 40 | 100 | 100 | 7 | 7 | 175 | 20 | — | 40 |
| 2SB595 | 40 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | 5 | 270 | 40 |
| 2SB633P | 50 | 100 | 80 | 6 | 6 | 150 | 8 | 150 | 80 |
| 2SB703 | 40 | 100 | 80 | 4 | 4 | 150 | 9 | 110 | 100 |
| 2SB708 | 40 | 80 | 80 | 7 | 7 | 150 | — | — | 40 |
| 2SB753 | 40 | 100 | 100 | 7 | 7 | 150 | 5 | 250 | 70 |
| 2SB816/D/E | 80 | 150 | 150 | 8 | 8 | 150 | 7,5 | — | 60/60/100 |
| BD244B | 65 | 90 | 80 | 5 | 6 | 150 | 3 | — | 30 |
| BD244BG | 65 | 80 | 80 | 5 | 6 | 150 | 3 | — | 30 |
| BD244C | 65 | 115 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | — | 30 |
| BD244CG | 65 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | — | 30 |
| BDX34E | 70 | 140 | 140 | 5 | 10 | 200 | 20 | — | 750 |
| ECG197 | 50 | 90 | 80 | — | 7 | 175 | 0,8 | — | 20 |
| FJP1943 | 80 | 230 | 230 | 5 | 15 | 150 | 30 | — | 55 |
| HEPS9153 | 65 | — | 100 | — | 8 | 150 | — | — | 1000 |
Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.
Графические данные
Рис. 1. Зависимость коэффициента усиления hFE от коллекторной нагрузки IC при различных температурах п/п структуры и величине напряжения коллектор-эмиттер UCE = 2 В.
Рис. 2. Характеристики области насыщения транзистора: зависимости коллекторного напряжения UCE от управляющего тока базы IB при различных нагрузках IC.
Характеристики сняты при температуре п/п структуры Tj = 25°C.
Рис. 3. Характеристики включенного состояния транзистора:
Рис. 4. Зависимости тепловых коэффициентов изменения напряжений от коллекторной нагрузки IC:
Каждая характеристика снята для двух диапазонов температур и коэффициента усиления по току IC/IB не превышающем ¼ от значения hFE по постоянному току.
Рис. 5. Характеристики области выключения транзистора:
Рис. 6. Ограничение предельной мощности рассеивания транзистора при увеличении температуры п/п структуры. Зависимость снята для двух шкал по мощности:
Рис. 7. Характеристики включения транзистора.
Зависимость времени задержки td и времени нарастания tr импульса, передаваемого транзистором, от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристики сняты при величине напряжения питания UCC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) TC = 25°C и отношении тока коллектора к току базы IC/IB = 10.
Рис. 8. Характеристики выключения транзистора.
Зависимость времени рассасывания заряда ts в п/п структуре и времени спадания tf импульса от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристики сняты при величине напряжения питания UCC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) TC = 25°C, отношении тока коллектора к току базы IC/IB = 10 и равенстве токов IB1 = IB2.
Рис. 9. Область безопасной работы транзистора. Ограничена несколькими основными линиями.
Производитель выделяет три причины выхода транзистора из строя (выделены отдельными надписями на поле характеристик):
Характеристики сняты для нагружения транзистора одиночными импульсами коллекторного тока длительностью 0,5 мс, 1,0 мс, 5 мс и при постоянном токе (при температуре контакта коллектора с охладителем корпуса TC = 25°C).
Транзистор TIP42C
Транзистор TIP42C согласно своим техническим характеристикам, он является силовым, биполярным, p-n-p-структуры. Это одни из лучших в серии зарубежных TIP42, производимых американской компанией Texas Instruments (TI). Изготавливается на кремневой основе в популярном пластмассовом корпусе TO-220. Способность работать на достаточно больших предельных режимах эксплуатации и частотные свойства, делают его привлекательным для создания аудиоусилителей, устройств линейного питания и коммутаций. Рассмотрим поподробней его основные свойства в данной статье.
Цоколевка
Наряду с рассмотренным ТО-220, некоторые компании выпускают эти транзисторы в других корпусах для поверхностного монтажа (TO-252) и в полностью изолированном ТО-220FP (Full Package). Коллекторный вывод у Full Package не имеет электрической связи с металлизированным основанием. Такие устройства являются большой редкостью для российского внутреннего рынка, но их возможно приобрести у китайских товарищей (например на AliExpress).
Технические характеристики
Параметры транзистор TIP42С характеризуются следующими максимально допустимыми эксплуатационными значениями:
Обычно, вместе с этими данными, в даташит у производителей фигурируют и другие транзисторы: TIP42, TIP42A,TIP42B. Это полностью идентичные по своим свойствам устройства. Они отличающиеся от рассматриваемого лишь немного меньшими значениями VCEO.
Не забываем про p-n-p-структуру рассматриваемого транзистора. Для него все вышеперечисленные значения должны представляться в даташит со знаком «минус», таким образом указывая на напряжение с обратной полярность, подаваемое на p-n-переход. Многие производители не пишут об этом в техническом описании.
Электрические параметры
Комплементарная пара
У TIP42C есть комплементарная пара с n-p-n-проводимостью — TIP41C.
Аналоги
Производители
На российском рынке радиоэлектронных компонентов представлены следующие зарубежные производители: Inchange, ON Semiconductor, STMicroelectronics, Multicom, Micro Commercial Co, Vishay, Fairchild, LGE (на русском) и др. Скачать datasheet TIP42C можно кликнув по ссылке с наименованием компании-изготовителя.
Характеристики транзистора TIP42C
Отечественный аналог TIP42C
Особенности
Корпусное исполнение, цоколевка TIP42C
Характеристики транзистора TIP42C
Предельные параметры TIP42C
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IC):
Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (ICP):
Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы (VCBO) при (IE = 0):
Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера (VCEO) при (IB = 0):
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы (VEBO) при (IC = 0):
Постоянный ток, протекающий через базовый вывод (IB):
Максимально допустимая температура перехода (Tj):
Электрические характеристики транзисторов TIP42C (ТC=25 o С если не указано иное)
Коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером (hFE) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (VCE) 4 V, при постоянном токе коллектоpа (IC) 3 A:
Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (VCE(sat))
Обратный ток коллектоpа при разомкнутом выводе базы (ICEO) (IB = 0)
Обратный ток коллектоpа при короткозамкнутых выводах эмиттера и базы (ICES) (VEB = 0)
Обратный ток эмиттера (IEBO) (IC = 0)
Рабочее напряжение коллектор-эмиттеp (VCEO(sus))
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT)
Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Аналоги транзистора TIP42C.
Юмор:
Джентльмены всегда отвечают добром на добро, и поэтому долго ждут, кто начнет первым.
Справка об аналогах биполярного низкочастотного pnp транзистора TIP42C.
Можно попробовать заменить транзистор TIP42C
транзистором 2SA1010;
транзистором 2SB633;
транзистором 2SB707;
транзистором 2SB708;
транзистором 2SB753;
транзистором ECG197;
транзистором MJE34C;
транзистором MJE42C;
транзистором RCA1C06;
транзистором 2SB753;
транзистором 2SB633;
транзистором 2SB690;
транзистором 2SB689;
транзистором 2SB521;
транзистором 2SB707;
транзистором 2SB566A;
Коллективный разум.
дата записи: 2015-10-21 14:11:45
Добавить аналог транзистора TIP42C.
Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора TIP42C? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
Характеристики транзистора TIP42C
Биполярный транзистор TIP42C, согласно техническим характеристикам, предназначен для использования в усилителях общего назначения и коммутационных схемах. Он изготавливается на кремниевой основе по планарной технологии. Его структура p-n-р.
Цоколевка
Существует четыре типа корпуса, в которых выпускается рассматриваемый транзистор. Два пластмассовых с жесткими ножками для дырочного монтажа ТО-220 и ТО-220F. И два для навесного монтажа: ТО-252 и ТО-263.
Расположение выводов для всех типов показано на рисунке. Здесь цифрой 1 обозначена база, 2 – коллектор, 3 – эмиттер. В другой упаковке TIP42C не выпускается.
Технические характеристики
Важными характеристиками транзистора являются максимальные параметры, именно их производители приводят в своей документации первыми. При их превышении изделие выйдет из строя. Не допускается также длительная эксплуатация устройства, когда значения рабочих характеристик близки к предельно допустимым. Испытания производят при температуре окружающей среды равной +25 О С.
При подборе транзистора кроме максимальных, следует также учитывать и электрические характеристики. Их тестирование происходит также при температуре +25 О С. Остальные, важные для определения параметров значения, указываются в столбце «Режимы измерения».
Аналоги
Транзистор TIP42C имеет свои полные аналоги:
Они являются полностью взаимозаменяемыми с рассматриваемым устройством, как по своим электрическим характеристикам, так и по расположению выводов на корпусе. Существует отечественное изделие, которое похоже на данное, это КТ8213А.
Производители
Производством TIP42C (datasheet по клинку на название) занимаются множество зарубежных компаний. Перечислим их:
На Российском рынке наибольшее распространение получили изделия следующих компаний: