Чем заменить транзистор 13003 в зарядном устройстве
«Электроника и Радиотехника»
Домашний мастер.
Напряжение на выходе примерно 7.8V. Под нагрузкой 0.5А напряжение падает примерно до 4-5V.
Возможно, трансформатор имеет дополнительно 2-е обмотки (если это не просто проволочки, идущие к экранирующей фольге). Обмотки подседины к «минусу» одним концом. Второй конец никуда не подцеплен. Обмотки играют роль экранов и применяются также для динамического подавления ЭМИ помех, возникающих во время работы трансформатора (может быть именно поэтому, отсутствует конденсатор между + 300V и коллектором транзистора Т2).
*некоторые значения конденсаторов неточные!
Доработка ЗУ сотового телефона
Сотовые телефоны комплектуют зарядными устройствами (ЗУ), построенными на основе обратноходового преобразователя напряжения, часто такие ЗУ собраны по упрощенной схеме и имеют невысокую надежность.
На рисунке показана схема одного из вариантов ЗУ.
Напряжение сети через резистор R1, который выполняет функции предохранителя, поступает на мостовой выпрямитель на диодах VD1 —VD4 и сглаживается конденсатором С1. Производители ЗУ сетевые фильтры для подавления помех используют редко, кроме того, часто применяют не мостовой, а однополупериодный выпрямитель.
Стабилизация выходного напряжения осуществляется косвенным методом. Для этого напряжение обмотки III трансформатора выпрямляется диодом VD6, сглаживается конденсатором СЗ и через стабилитрон VD5 поступает на базу транзистора. В момент подключения ЗУ к сети, а также при резких колебаниях напряжения в сети ток через транзистор VT1 превышает допустимое значение, что приводит к выходу его из строя. В большинстве случаев выходят из строя также резисторы R1, R6 и стабилитрон VD5.
Для повышения надежности ЗУ предлагается его доработка, заключающаяся во введении дополнительных элементов VT2, R8, обведенных на схеме штрихпунктирной линией.
При увеличении тока через транзистор VT1 более 60. 70 мА транзистор VT2 открывается и шунтирует базовую цепь транзистора VT1, ограничивая протекающий через него ток. Можно применить транзисторы серий КТ315, КТ3102 с любыми буквенными индексами, резистор — МЛТ, Р1-4, С2-23. ЗУ, доработанные таким способом, показали более высокую надежность работы.
Коротко рассмотрим описание работы схемы
Напряжение сети подается через токоограничивающий резистор R 1 на вход выпрямителя, выполненного на диодах D 1- D 4. На транзисторе Q 1 собран автогенератор, частота которого в основном определяется характеристиками применяемого здесь импульсного трансформатора TF 1. Резистор R 3 задает режим работы транзистора Q 1. Стабилизация выходного напряжения происходит за счет использования обмотки обратной связи импульсного трансформатора TF 1 и цепочки D 7, С4, ZD 1. Транзистор Q 2 и резистор R 2 служат для ограничения тока транзистора Q 1 в момент запуска автогенератора, а также в случае перегрузки или короткого замыкания на выходе устройства. Схема содержит простейший выпрямитель выходного напряжения на диоде D 8 и конденсаторе С5. Резистор R 6 служит для разрядки конденсатора С5 после выключения устройства.
Схема еще одного варианта зарядного устройства мобильного телефона показана на рис.1.
Характеристики транзистора MJE13003
Биполярный кремниевый транзистор MJE13003 по своим характеристикам может применяться в импульсных регуляторах, инверторах, системах управления электрическими двигателями. Он разработан для работы в высоковольтных, высокоскоростных индуктивных цепях, где важно время спада. Также он способен работать в схемах управляющих работой устройств большой мощности в качестве переключателей. Изготавливается по эпитаксиально-планарной технологии и имеет структуру n-p-n.
Цоколевка
Цоколевку транзистора MJE13003 разберём в двух корпусах в которых он производится, это ТО-126 и ТО-220. Если смотреть на него со стороны маркировки, то его выводы будут располагаться в таком порядке: база, коллектор, эмиттер. Следует учесть также что многие производители не наносят первые буквы MJE, которые говорят о том, что первым производителем этого транзистора была компания Motorola. И таким образом остаётся только надпись 13003.
Технические характеристики
В первую очередь следует рассмотреть максимально допустимые параметры устройства. Их превышение недопустимо даже на непродолжительный промежуток времени. Перейдём к рассмотрению этих характеристик для 13003:
Не стоит также забывать и об электрических характеристиках. Именно от них зависят возможности транзистора. Они снимаются при температуре +25 О С. Другие, важные для тестирования параметры, приведены в таблице в отдельной колонке, которая называется «Режимы измерения».
| Электрические характеристики транзистора MJE13003 (при Т = +25 о C) | |||||||
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм | |
| Поддерживающее напряжение, коллектор-эмиттер, база разомкнута | IC = 10 мA, IB = 0 | VCEO(sus) | 400 | В | |||
| Обратный ток коллектор-эмиттер | VBE = 1,5 В | ICEV | 1 | мА | |||
| VBE = 1,5 В, TC = 100°C | 5 | ||||||
| Обратный ток эмиттера | VEB = 9 В, IC = 0 | IEBO | 1 | мА | |||
| Статический коэффициент передачи тока | VCE = 2 В, IC= 0.5 A VCE = 2 В, IC = 1 A | hFE1 25 | |||||
| Напряжение насыщения база-эмиттер | IB = 0,1 B, IC = 0,5 A IB=0,25B, IC=1 A Tc=100℃ | V ВE(sat) | 1 В | ||||
| Время закрытия | IC = 1 A, VCC = 125 В | tF | 2 | 4 | мкс | ||
| Время рассасывания. | tS | 0,4 | 0,7 | мкс | |||
Аналоги
Похожих по характеристикам транзисторов не очень много, назовём несколько зарубежных:
Существуют также российские аналоги MJE13003:
При этом следует учитывать, что все перечисленные устройства не являются полными аналогами, поэтому, перед заменой, следует обратиться к технической документации.
Производители
Среди производителей отметим самых крупных:
Если вы хотите приобрести MJE13003, то в отечественных магазинах можно найти продукцию таких фирм:
Скачать datasheet можно кликнув на название производителя.
Транзистор 13003 (MJE13003)
В данном тексте вы узнаете все характеристики мощного силового 13003 (mje13003) транзистора с кремниевой NPN-структуры, высокой скоростью переключений и низкой полосой пропускания. Наиболее известен с обозначением mje13003, так как с этим префиксом он был когда то представлен миру компанией Motorola. В настоящее время его прототип наиболее широко применяется в бытовой электронике, особенно в режиме переключений SWITCHMODE. Позиционируются для коммутации от 115 до 229 вольт в различных схемах отклонения электронного луча, инверторов, регуляторах, а так же драйверов электромагнитных реле.
Распиновка
Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.
В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.
Основные технические характеристики
13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.
Предельные режимы эксплуатации
13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.
Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%.
Электрические характеристики
Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.
Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.
Режима работы в SOA
Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA).
Режим FBSOA
На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.
Выглядит это конечно замечательно, но стоит внести в эту идиллию ложку дёгтя. Как принято, безопасный режим работы рассчитывается производителями при температуре перехода до 25 градусов. В реальности нельзя поддерживать такую температуру у работающего полупроводникового прибора, так как при её увеличении мощность устройства падает. А при увеличении температуры до предельных 150 °С доходит до 0 Вт. В связи с этим радиолюбители стараются разными способами уменьшить нагрев корпуса, оснащая устройства радиаторами, добиваясь при этом средних рабочих температур.
Режим RBSOA
В справочнике на 13003 (рисунке 12), приводится график работы в режиме выключения — RBSOA. На графике показана область устойчивой работы транзистора при выключении и обратном смещении на переходе эмиттер-база VBE(off), при этом ток коллектора продолжает течь. Если на базе напряжение нулевое, то область RBSOA значительно меньше.
В схемах с импульсными источниками питания, для уменьшения проблем связанных с запиранием транзистора в момент его выключения, чаще всего используют обратное смещение базы.
Комплементарная пара
Комплементарной пары у mje13003 нет, учитывайте это при выборе компонента для своих схем или при замене вышедшего из строя устройства.
Маркировка
Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.
Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.
Замена и эквиваленты
Замену для 13003 можно подобрать из его ближайших аналогов ST13003, KSE13003, HMJE13003. Можно попробовать транзисторы из той же серии но, с более высокими характеристиками: mje13005, mje13007, mje13008, mje13009. В некоторых схемах может подойти BUJ101, 2SC4917 или PHD13003 с встроенным защитным диодом. Очень часто в качестве замены подходит его белорусский аналог от завода “Интеграл” — кт8170А1.
И напоследок интересное видео о сборке навесным монтажом простого аудиоусилителя.
Производители
Вот список основных производителей устройства, кликнув мышкой по наименованию компании можно скачать её DataSheet.
Транзистор 13003
13003 — кремниевый, со структрурой NPN, эпитаксиальный транзистор для высокоскоростных и высоковольтных переключений, общепромышленного применения.
Корпус и цоколевка
Предназначение
Прибор разработан для высоковольтных и высокоскоростных силовых переключений в индуктивных цепях, где критичной является величина времени спадания импульса коллекторного тока. Эти транзисторы хорошо подходят для работы в ключевых режимах в цепях 115 и 220 В.
Области применения
Характерные особенности
Представлены области безопасной работы с обратным смещением при индуктивной нагрузке и температуре корпуса транзистора TC = 100°C.
Типичные диапазоны параметров индуктивных переключений: диапазон тока коллектора – 0,5…1,5 А; температура корпуса 25°С и 100°С; типичное время коммутационного процесса tC = 290 нс при токе 1 А и температуре 100°С.
Выдерживаемые напряжения до 700 В.
Предельные эксплуатационные характеристики
| Характеристика | Обозначение | Величина | ||
|---|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор – база транзистора, В | UCBO | 700 | ||
| Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | UCEO (SUS) | 400 | ||
| Напряжение эмиттер – база транзистора, В | UEBO | 9 | ||
| Ток коллектора постоянный, А | IC | 1,5 | ||
| Ток коллектора импульсный, А | ICM | 3 | ||
| Ток базы постоянный, А | IB | 0,75 | ||
| Ток базы импульсный, А | IBM | 1,5 | ||
| Рассеиваемая мощность, Вт | Ta = 25°C | TO-126, TO-126C, TO-126S | PC | 1,4 |
| TO-92, TO-92NL | 1,1 | |||
| TO-251, TO-252 | 1,56 | |||
| Tc = 25°C | TO-126, TO-126C, TO-126S | 20 | ||
| TO-92, TO-92NL | 1,5 | |||
| TO-251, TO-252 | 25 | |||
| Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150 | ||
| Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° | Tstg | -55…+150 | ||
Электрические параметры
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения | |
|---|---|---|---|---|
| Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В ٭ | UCEO(SUS) | IC = 10 мА, IB = 0 А. | 400 | |
| Ток коллектора выключения, мА ٭ | ICEO | UCEO = номинальное значение, UBE(OFF) = 1,5 В | 1 | |
| 5 | ||||
| Ток эмиттера выключения, мА ٭ | IEBO | UEB = 9,0 В, IC = 0 | 1 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭ | UCE(sat) | IC = 0,5 А, IB = 0,1 А | 0,5 | |
| IC = 1,0 А, IB = 0,25 А | 1 | |||
| IC = 1,2 А, IB = 0,4 А | 3 | |||
| IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C | 1 | |||
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭ | UBE(sat) | IC = 0,5 А, IB = 0,1 А | 1 | |
| IC = 1,0 А, IB = 0,25 А | 1,2 | |||
| IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C | 1,1 | |||
| Статический коэффициент усиления по току ٭ | hFE (1) | UCE = 5,0 В, IC = 0,4 А | 14….57 | |
| hFE (2) | UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А | 5…30 | ||
| Выходная емкость коллектора, pF | Cob | UCB = 10 В, IE = 0, f = 0,1 МГц | 21 | |
| Частота среза, МГц | fT | UCE = 10 В, IC = 0,1 А | 10 | |
| Временные параметры транзистора при работе на резистивную нагрузку | ||||
| Время задержки, мкс | td | См. схему измерения временных параметров: UCC = 125 В, IC = 1 А, IB1 = IB2 = 0,2 А, tp = 25 мкс, скважность импульсов ≤ 1% | 0,05 | |
| Время нарастания импульса тока, мкс | tr | 0,5 | ||
| Время сохранения импульса, мкс | ts | 2 | ||
| Время спадания импульса тока, мкс | tf | 0,4 | ||
| Временные параметры транзистора при работе на индуктивную нагрузку с ограничениями напряжений | ||||
| Время сохранения импульса, мкс | ts | IC = 1 А, UCLAMP = 300 В, IB1 = 0,2 А, UBE(OFF) = 5 В, Tc = 100°C. | 1,7 | |
| Коммутационный промежуток, мкс | tc | 0,29 | ||
| Время спадания импульса тока, мкс | tf | 0,15 | ||
٭ — определено в импульсном режиме: длительность импульса = 300 мкс, скважность импульсов ≤ 2%.
Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.
Классификация по величине параметра hFE
| Обозначение группы | A | B | C | D | E | F | G | H |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Диапазон hFE | 14…22 | 21…27 | 26…32 | 31…37 | 36…42 | 41…47 | 46…52 | 51…57 |
Модификации (версии) транзисторов серии 13003
Конструктивное исполнение — TO-92. Ta = 25°C.
Конструктивное исполнение ТО-126 (D/F/S). Tc = 25°C.
Конструктивное исполнение ТО-220 (AB/HW/F). Tc = 25°C (если не указано иное).
| Тип, маркировка на корпусе | PC, Вт | UCB, В | UCE, В | IC, А | UCE(sat), В | Временные параметры ton / ts / tf мкс |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ST13003 | 1,5 | 600 | 400 | 1,5 | 1 | 1 / 4 / 0,7 |
| SBP13003 | 20 | 700 | 400 | 1,5 | 0,5 | — / 4 / 0,8 |
| 13003B | 28 | 650 | 400 | 2 | 0,6 | 0,5 / 3,3 / 0,5 |
| 13003AD | 30 | 700 | 400 | 2,3 | 0,6 | 0,8 / 3,5 / 0,8 |
| KSE13003T KSH13003H | 30 | 700 | 400 | 1,5 | 0,5 | 1,1 / 4 / 0,7 |
| SBP13003H | 30 | 900 | 530 | 1,5 | 0,5 | 0,2 / 1,32 / 0,23 |
| HMJE13003E | 35 | 700 | 400 | 1,5 | 0,5 | — |
| WBP13003D | 40 | 600 | 400 | 2 | 0,5 | — / 4 / 0,8 |
| MJE13003D | 40 | 700 | 400 | 1,5 | 0,5 | 1 / 4 / 0,7 |
| SBP13003D | 40 | 700 | 400 | 1,5 | 0,5 | — / 4 / 0,8 |
| SBP13003O | 40 | 700 | 400 | 1,5 | 0,5 | — / 4 / 0,3 |
| XW13003-220 | 45 | 600 | 400 | 1,5 | — | — |
| BR3DD13003VK7R Маркировка BR13003V | 50 | 400 | 200 | 3 | 0,5 | — / 3,5 / 0,6 |
| MJE13003VK7 | 50 | 400 | 200 | 3 | 0,5 | — / 3,5 / 0,6 |
| MJE13003VN7 | 50 | 400 | 200 | 5 | 0,6 | — / 4 / 0,6 |
| MJE13003I7 | 50 | 600 | 400 | 1,5 | 0,8 | — / 3,5 / 0,6 |
| MJE13003K7 MJE13003K8 | 50 | 600 | 400 | 1,5 | 0,9 | — / 4 / 0,8 |
| MJE13003DK7 | 50 | 600 | 400 | 1,75 | 0,9 | — / 4 / 0,8 |
| CDT13003 | 50 | 600 | 400 | 1,8 | 0,5 | 1,1 / 4 / 0,7 |
| MJE13003M7 MJE13003M8 | 50 | 700 | 400 | 1,8 | 0,8 | — / 4 / 0,8 |
| MJE13003N8 | 50 | 700 | 400 | 2 | 0,8 | — / 6 / 0,8 |
| 3DD13003M8D | 60 | 600 | 400 | 1,8 | 0,25 | 1 / 5 / 1 |
| 3DD13003K8 | 60 | 700 | 400 | 1,8 | 0,3 | 1 / 5 / 1 |
| 3DD13003J8D | 60 | 700 | 400 | 2 | 0,5 | 1 / 4 / 1 |
| 3DD13003M8D | 60 | 700 | 400 | 2 | 0,5 | 1 / 4 / 1 |
Конструктивное исполнение ТО-251. Tc = 25°C (если не указано иное).
| Тип, маркировка на корпусе | PC, Вт | UCB, В | UCE, В | IC, А | UCE(sat), В | Временные параметры ton / ts / tf мкс |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MJE13003HT | 1,0 | 850 | 500 | 2 | 0,5 | — |
| MJE13003K3 | 10 | 700 | 450 | 1,5 | 0,9 | — / 4 / 0,8 |
| 13003ADA | 10 | 700 | 450 | 1,5 | 0,18 | — / 4 / 0,7 |
| 13003BS | 10 | 800 | 450 | 2 | 0,8 | 2 / 5 / 2 |
| 13003EDA | 10 | 850 | 500 | 1,3 | 0,2 | 1 / 5 / 1 |
| MJD13003 | 15 | 700 | 400 | 1,5 | 0,5 | 1 / 4 / 0,7 |
| SBU13003BD | 20 | 700 | 400 | 1,5 | 0,6 | 1 / 3 / 0,4 |
| STD13003 | 20 | 700 | 400 | 1,5 | 0,9 | 1 / 4 / 0,7 |
| APT13003DI | 24 | 700 | 450 | 1,5 | 0,3 | 0,7 / 3 / 0,35 |
| ALJ13003 ALJ13003-251 | 25 | 600 | 400 | 1,2 | 0,8 | — / 6 / 1 |
| KSU13003E KSU13003ER | 25 | 700 | 400 | 1,5 | 0,5 | 1,1 / 4 / 0,7 |
| MJE13003K | 25 | 700 | 400 | 1,5 | 0,5 | 1 / 4 / 0,7 |
| MJE13003P | 25 | 700 | 400 | 1,5 | 0,5 | 1 / 4 / 0,7 |
| KSU13003H KSU13003HR | 25 | 900 | 530 | 2 | 0,8 | 1,1 / 4 / 0,7 |
| 3DD13003U3D | 30 | 350 | 200 | 1,8 | 0,4 | 1 / 4,5 / 1 |
| MJE13003VK3 | 30 | 400 | 200 | 3 | 1,5 | — / 3,5 / 0,6 |
| 3DD13003F3D | 30 | 600 | 400 | 1,5 | 0,3 | 1 / 4,5 / 1 |
| MJE13003DK3 | 30 | 700 | 400 | 1,75 | 0,9 | — / 4 / 0,8 |
| MJE13003DI3 | 30 | 800 | 480 | 1,5 | 0,8 | — / 3,5 / 0,6 |
| 13003DW | 35 | 350 | 200 | 2 | 0,21 | 1 / 4,5 / 1 |
| 3DD13003W3D | 35 | 350 | 200 | 2 | 0,4 | 1 / 4,5 / 1 |
| 3DD13003H3D | 35 | 600 | 400 | 1,8 | 0,25 | 1 / 5 / 1 |
| HI13003 | 40 | 700 | 400 | 1,5 | 0,5 | — |
| MJE13003M3 | 40 | 700 | 400 | 1,8 | 0,8 | — / 4 / 0,8 |
| MJE13003H3 | 40 | 700 | 450 | 1,2 | 0,8 | — / 3,5 / 0,6 |
| MJE13003L3 | 40 | 900 | 530 | 1,5 | 0,8 | — / 6 / 1,2 |
| 13003DH | 50 | 600 | 400 | 1,8 | 0,3 | 1 / 5 / 1 |
| MJE13003I | 50 | 600 | 400 | 1,5 | 0,8 | — / 3,5 / 0,6 |
Конструктивное исполнение ТО-252. Tc = 25°C (если не указано иное).
| Тип, маркировка на корпусе | PC, Вт | UCB, В | UCE, В | IC, А | UCE(sat), В | Временные параметры ton / ts / tf мкс |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MJE13003HT | 1,0 | 850 | 500 | 2 | 0,5 | — |
| CZD13003 | 1,25 | 700 | 400 | 1,5 | 1 | — / 2,5 / 0,5 |
| DXT13003DK Маркировка 13003D | 3,9 | 700 | 450 | 1,5 | 0,3 | 0,35 / 2,3 / 0,21 |
| DXT13003EK Маркировка 13003E | 3,9 | 700 | 460 | 1,5 | 0,3 | 0,43 / 1,64 / 0,28 |
| WBD13003D | 10 | 600 | 400 | 2 | 0,5 | — / 4 / 0,8 |
| HJ13003 | 15 | 700 | 400 | 1,5 | — | — |
| STD13003D | 15 | 700 | 400 | 1,5 | 0,5 | 1,1 / 4 / 0,7 |
| CJD13003 | 15 | 700 | 400 | 1,5 | 0,5 | 1,1 / 4 / 0,7 |
| STD13003 | 20 | 700 | 400 | 1,5 | 0,5 | 1 / 4 / 0,7 |
| KSD13003E KSD13003ER | 25 | 700 | 400 | 1,5 | 0,5 | 1,1 / 4 / 0,7 |
| MJE13003K | 25 | 700 | 400 | 1,5 | 0,5 | 1 / 4 / 0,7 |
| MJE13003P | 25 | 700 | 400 | 1,5 | 0,5 | 1 / 4 / 0,7 |
| KSH13003 KSH13003I | 40 | 700 | 400 | 1,5 | 0,5 | 1,1 / 4 / 0,7 |
| MJE13003K4 | 50 | 600 | 400 | 1,5 | 0,9 | — / 4 / 0,8 |
Конструктивные исполнения ТО-826, SOT23, SOT223, SOT89, LSTM. Tc = 25°C (если не указано иное).
| PC, Вт | UCB, В | UCE, В | IC, А | UCE(sat), В | Временные параметры ton / ts / tf мкс | Тип, маркировка на корпусе |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 0,5 | 350 | 200 | 1,5 | 0,45 | 1 / 3,5 / 1 | 3DD13003SUD Корпус SOT23, TO89S |
| 0,5 | 350 | 200 | 1,5 | 0,45 | 1 / 4 / 1 | 3DD13003SUD Корпус SOT23, TO89S |
| 0,5 | 700 | 400 | 1,5 | 0,6 | — / 4 / 0,5 | 3DD13003/A/C/E/F Корпус SOT89 |
| 0,9 | 600 | 400 | 1,5 | 1 | 0,4 / 1,4 / 0,2 | TTC13003L, LSTM Маркировка 13003L |
| 1,0 | 600 | 400 | 0,5 | 0,5 | — / 4 / 0,6 | MJE13003FT, SOT89 Маркировка H03F |
| 1,25 | 700 | 450 | 1,5 | 1 | 1 / 4 / 0,7 | PZT13003 |
| 3,0 | 700 | 450 | 1,3 | 0,4 | 0,7 / 3 / 0,35 | DXT13003DG Маркировка 13003D |
| 20 | 600 | 400 | 1,5 | 0,6 | 0,7 / 2,5 / 0,9 | S13003, TO826 |
| 20 | 700 | 400 | 0,5 | 1,2 | — / 2,5 / 0,18 | ST13003N, SOT32 Маркировка 13003N |
| 20 | 700 | 400 | 0,5 | 1,2 | — / 2,5 / 0,18 | ST13003DN, SOT32 Маркировка 13003DN |
| 22 | 700 | 400 | 1,8 | 0,6 | 0,7 / 2,5 / 0,9 | S13003A |
| 25 | 650 | 400 | 2 | 0,6 | 12 / 3,1 / 0,8 | S13003AD |
| 26 | 650 | 400 | 2 | 0,6 | 0,5 / 3,3 / 0,5 | H13003D |
| 28 | 700 | 400 | 2,3 | 0,6 | 0,8 / 3,5 / 0,8 | H13003AD |
| 40 | 700 | 400 | 1,5 | 1 | 1 / 4 / 0,7 | ST13003D-K, SOT32 Маркировка 13003D |
| 40 | 700 | 400 | 1,5 | 1 | 1 / 4 / 0,7 | ST13003K, SOT32 Маркировка 13003 |
| 40 | 700 | 400 | 1,5 | 1 | 1 / 4 / 0,7 | STK13003, SOT82 |
Примечание: данные таблиц получены из даташип компаний-производителя.
Схемы тестирования временных параметров транзистора
Диаграмма входного сигнала.
Схема измерения при резистивной нагрузке.
Схема измерений с параметрами элементов при индуктивной нагрузке транзистора.
Диаграммы выходных токов и напряжений.
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначенные для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, схемах управления электродвигателями и др., аппаратуре общего применения.
Отечественное производство
Транзисторы, близкие по параметрам к серии 13003 (MJE13003).
Зарубежное производство
Аналоги транзистора E13003 (MJE13003).
Аналоги транзисторов 13003BR (MJE13003BR) и 13003T (KSE13003T).
Примечание: данные таблиц получены из даташип компаний-производителя.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Зависимость времени задержки td и времени нарастания импульса tr от коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.
При измерении времени задержки td установлено напряжение смещения UBE(OFF) = 5 В.
Рис. 2. Зависимость времени сохранения ts и времени спадания импульса tf от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.
Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления hFE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята для различных значений температуры структуры Tj и напряжений коллектор-эмиттер UCE.
Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе UCE при изменении управляющего тока базы IB. Зависимости сняты при различных нагрузках IC и температуре структуры Tj = 25°C.
Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе UBE(sat) при разных нагрузках IC и разных температурах структуры Tj. Соотношение токов IC / IB = 3.
Пунктиром показано изменение напряжения включения UBE(ON) при напряжении на коллекторе UCE = 2 В.
Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от коллекторного тока IC при различных температурах и соотношении токов IC/ IB = 3.
Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения база-эмиттер UBE.
Характеристика снята при разных температурах Tj структуры и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 250 В.
FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.
REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.
Рис. 8. Зависимости входной емкости Cib перехода эмиттер-база и выходной емкости Cob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры Tj= 25°С.
Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.
Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока IC = 1,5 А и максимального импульсного тока ICM = 3,0 А.
При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.
Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением UCEO(SUS) = 400 В.
Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.
Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ограничений.
Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды Ta.
Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.
Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.
Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) UCLAMP = 700 В.
Величины напряжений обратного смещения UBE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.
Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы IB1 = 1 А.
Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.
В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.