Чем заменить транзистор d1710
Чем заменить транзистор d1710
Если Вы имеете ввиду всю плату ТВ, то никаких звуков при отсоединении от кинескопа она издавать не должна. Скорее всего (предварительно. ) имеет место пробой в высоковольтном выпрямителе, который совмещен со строчным трансформатором.
Замените оксидный конденсатор С910 БП на заведомо исправный. Справа от импульсного трансформатора БП установлены три выпрямителя, это выпрямители вторичных цепей. Проконтролируйте соответствие формируемых ими напряжений номинальным.
Если возможно выложите полную схему Вашего ТВ.
С уважением, Алексей.
Номинальных напряжений я не знаю и на каких выходах строчная развертка тоже не знаю. Может подскажете с каких выходов трансформатора что на что идет (на схеме они пронумерованы)
Прикрепил полную схему ( качество отвратное)
Номинальных напряжений я не знаю и на каких выходах строчная развертка тоже не знаю. Может подскажете с каких выходов трансформатора что на что идет (на схеме они пронумерованы)
Прикрепил полную схему ( качество отвратное)
Все компоненты проверяйте выпаивая из платы иначе результаты проверки могут быть некорректными.
Внимательно изучите схему. Так проследив цепь от D905 через контакты реле, Вы увидите, что данный выпрямитель формирует напряжение +114 В., что прямо указано на схеме. Анализируя номиналы оксидных конденсаторов, выпрямитель на D907 должен формировать напряжение около 12-15В. Средний, по схеме, выпрямитель формирует отрицательное напряжение, большее чем канал на D907, скорее всего около 30В, используемое для настройки ТВ тюнера.
Проверьте фактические напряжения на соответствие указанным. Уточните позиционное обозначение сгоревшего резистора, находящегося на ПП около R915. Вы можете записать шум пробоя около «присоски»? Посмотрите в затемненном помещении, может быть Вы увидите причину шума. С помощью кисти и пылесоса очистите плату от загрязнений.
Чем заменить транзистор d1710
Наименование производителя: 2SD1710
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
2SD1710 Datasheet (PDF)
Ordering number : EN72002SD1710CSANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SD1710C500V / 7A Switching Regulator ApplicationsFeatures High breakdown voltage, high reliability. Fast switching speed. Wide ASO. Adoption of MBIT process. Micaless package facilitating mounting.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25
0.2. 2sd1710.pdf Size:59K _wingshing
0.3. 2sd1710a.pdf Size:414K _blue-rocket-elect
0.4. 2sd1710f.pdf Size:388K _blue-rocket-elect
0.5. 2sd1710.pdf Size:216K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1710DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSColor TV horizontal deflection outputColor display horizontal deflection outputABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VAL
Транзистор D1047 (2SD1047)
D1047 — кремниевый, со структурой NPN, планарный транзистор, выполненный по технологии тройной диффузии. Конструктивное исполнение – различные варианты корпуса типа TO-3P.
Предназначение
Транзистор предназначен для мощных выходных каскадов усилителей звуковой частоты и преобразователей напряжения постоянного тока.
Корпус, цоколевка и монтажные размеры
Характерные особенности
Предельные эксплуатационные характеристики
Данные в таблице действительны при температуре корпуса Tс=25°C.
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор – база транзистора, В | VCBO | 160 |
| Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | VCEO | 140 |
| Напряжение эмиттер – база транзистора, В | VEBO | 6 |
| Ток коллектора постоянный, А | IC | 12 |
| Ток коллектора импульсный, А | ICP | 15 |
| Рассеиваемая мощность, Вт | PC | 100 |
| Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150 |
| Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° | Tstg | -55…+150 |
Электрические характеристики
Данные в таблице действительны при температуре корпуса Tс=25°C.
٭ — производитель разделяет транзисторы по величине параметра hFE на группы O и Y в пределах указанного диапазона.
٭٭ — параметры сняты в импульсном режиме: схема для измерения параметров представлена ниже.
Схема для измерения параметров времени переключения
Модификации и группы транзистора D1047
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE ٭ | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1047 | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 60 | |
| 2SD1047 (D, E) | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | ||
| 2SD1047 C | 120 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 140 | ||
| 2SD1047 P | 120 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | ||
| CSD1047 F (O, Y) | 90 | 160 | 160 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | ||
| KSD1047 (O, Y) | 80 | 160 | 140 | 6 | 8 | 150 | 15 | 210 | ||
| KTD1047 (O, Y) | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | ||
| KTD1047 B (O, Y) | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | ||
| PMD1047 (D, E) | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 |
٭ — производителями почти во всех модификациях выделяются группы (O, Y) или (D, E) по поддиапазонам величин hFE.
| Обозначение транзистора в группе | 2SD1047 O | 2SD1047 Y | 2SD1047 D | 2SD1047 E |
|---|---|---|---|---|
| Диапазон величины hFE | 60…120 | 100…200 | 60…120 | 100…200 |
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначены для применения в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения и преобразователях напряжения в аппаратуре общего назначения.
Отечественное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1047 | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 60 | TO-247 |
| КТ892А/Б | 175 | 350 | 350 | 5 | 15 | 150 | — | — | 300 | TO-3 |
| КТ897Б | 125 | 200 | 200 | 5 | 20 | — | 10 | — | 400 | TO-3 |
| КТ898А/Б | 125 | 350 | — | 5 | 20 | 200 | 10 | — | 400 | TO-218 |
| КТ8101А/Б | 150 | 200 | — | 6 | 16 | 150 | 10 | 1000 | 20 | TO-218 |
| КТ8107А | 100 | 1500 | 700 | 5 | 8 | 150 | 7 | — | 2…8 | TO-3 |
| КТ8114А/Б | 125 | 1500 | — | 5 | 8 | 150 | — | — | 8 | TO-3 |
| КТ8117А | 100 | 700 | 600 | 5 | 10 | 150 | 4 | — | 10 | TO-3 |
| КТ8150А | 115 | 70 | 60 | 7 | 15 | 150 | 4 | — | 20 | TO-3 |
| КТ8158Б | 125 | 100 | 100 | 5 | 12 | 150 | 4 | — | 1000 | TO-3 |
Зарубежное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1047 | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 60 | TO-247 |
| 2SC5669 | 140 | 250 | 230 | 6 | 15 | 150 | 15 | 200 | 60 | TO-3PN |
| 2SD1975A | 150 | 200 | 200 | 5 | 15 | 150 | 20 | 200 | 60 | TO-3PL |
| 2SD2489 | 130 | 200 | 200 | 5 | 15 | 150 | 70 | 120 | 5000 | TO-3PN |
| BU941B | 155 | — | 350 | 5 | 15 | 175 | — | — | 300 | TO-3P |
| MJL3281A | 200 | 200 | 200 | 7 | 15 | 150 | 30 | 600 | 75 | TO-3PBL, TO-264 |
| MJL4281A | 230 | 350 | 350 | 5 | 15 | 150 | 35 | 600 | 80 | TO-3PBL, TO-264 |
| NJW0302 | 150 | 250 | 250 | 5 | 15 | 150 | 30 | 400 | 60 | TO-3P |
| NJW1302 | 200 | 200 | 250 | 5 | 15 | 150 | 30 | 600 | 60 | TO-3P |
| 2SC4059 | 130 | 600 | 450 | 7 | 15 | 175 | 20 | — | 60 | TO-247 |
| 2SC4108N | 100 | 500 | 400 | 7 | 12 | 150 | 20 | 160 | — | TO-247 |
| ET359 | 100 | 300 | 200 | — | 80 | 175 | — | — | 80 | TO-247 |
| IDD1314 | 150 | 450 | — | — | 15 | 150 | — | — | 100 | TO-247 |
Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах управления IB.
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE транзистора от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы IC / IB = 10.
Рис. 4. Передаточная характеристика транзистора – зависимость тока коллектора IC от напряжения управления (базы) UBE.
Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 5. Зависимость ширины полосы пропускания (частоты среза fT) от коллекторной нагрузки транзистора IC.
Характеристика снята при величине напряжения коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 6. Изменение выходной емкости Cob транзистора при увеличении напряжения на коллекторном переходе UCB.
Характеристика снята при частоте f = 1 МГц.
Рис. 7. Ограничение мощности рассеивания транзистора при возрастании температуры его корпуса TC.
Рис. 8. Область безопасной работы (ОБР) транзистора.
В области больших токов ОБР транзистора ограничена импульсным или постоянным значением тока коллектора ICMAX (Pulse) или ICMAX (DC), определяемыми устойчивостью к нагреву монтажных соединений внутри транзистора или критическим снижением коэффициента усиления.
В области больших напряжений ОБР ограничена предельным напряжением коллектор-эмиттер UCEMAX, при котором развивается лавинообразный пробой п/п структуры.
Между этими двумя ограничениями безопасная работа определяется общим тепловым режимом структуры и перегревами локальных участков, способствующими возникновению вторичных тепловых пробоев.
Чем заменить транзистор d1710
Наименование производителя: 2SD1710C
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 18 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
Корпус транзистора: TO3PML
2SD1710C Datasheet (PDF)
Ordering number : EN72002SD1710CSANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SD1710C500V / 7A Switching Regulator ApplicationsFeatures High breakdown voltage, high reliability. Fast switching speed. Wide ASO. Adoption of MBIT process. Micaless package facilitating mounting.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25
7.1. 2sd1710.pdf Size:59K _wingshing
7.2. 2sd1710a.pdf Size:414K _blue-rocket-elect
7.3. 2sd1710f.pdf Size:388K _blue-rocket-elect
7.4. 2sd1710.pdf Size:216K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1710DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSColor TV horizontal deflection outputColor display horizontal deflection outputABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VAL
Сообщений: 23 546
Из: раненный душою
JNC model: LC-250ATX P4
симптомы: бывали моменты когда после вырубания света в доме, включался только псоле
Сообщений: 3 902
Из: Чебоксары
№измерить мультиметром тоже могу. №
Сообщений: 3 902
Из: Чебоксары
блок питания скорее всего.
Здравствуйте.
Барахлит блок питания Rexpower 400 Wt.
Появляется треск, скрип, хруст при включении системника, при раскрутке ДВД-диска, при запуске игр в более-менее серьезными видеоэффектами.
При раскрутке ДВД-диска хруст становится сильнее и комп перезагружается.
Что полетело?
Всё в этой жизни временно
Сообщений: 3 522
Из: Новочебоксарск
Здравствуйте.
Я недобросовестной пайкой замкнул 2 (центр. и прав.) ножки диода, формирующего 3,3 В на Sparkman 300W.
Теперь компьютер не включается, но (в х.х.) все каналы на блоке выдают нужные вольты за исключением P.G., кот-й постоянно около 5 В.