Биполярный кремниевый транзистор S9013 обратной проводимости (структура n-p-n) выпускается по эпитаксиально-планарной технологии в пластиковом корпусе ТО-92. Он имеет цилиндрическую форму с размерами не более 5мм в любой плоскости. Производитель наносит маркировку о марке полупроводникового элемента и дате выпуска на технологическую плоскую поверхность, расположенную на лицевой стороне корпуса.
Цоколевка
В нижнем торце располагаются три вывода. Если смотреть на маркировку, то слева направо: эмиттер, база, коллектор.
Особенности и применение транзистора
Анализ технических характеристик позволяет сделать вывод, что данный радиокомпонент является высокочастотным транзистором общего применения средней мощности. В первую очередь, об этом свидетельствуют высокие значения коллекторного тока – до 0,5А и характерной для корпуса ТО-92 рассеиваемой мощностью – 0,63Вт. Особое внимание стоит уделить коэффициенту усиления hFE. Его характеристика обладает хорошей линейностью, а предельная частота составляет 140МГц.
Сочетание этих параметров в одном компоненте позволяет использовать его в выходных каскадах радиостанций небольшой мощности, до 1Вт. Вместе с тем, S9013 достаточно широко применяется в дискретных схемах и переключающих устройствах соответствующей мощности.
Свойства транзистора и его надежность хорошо известны профессионалам и радиолюбителя. Он широко применяется в электротехнической промышленности и радиолюбительской практике.
Характеристики (предельные значения)
Параметр
Обозначение
Максимальное значение
Напряжение коллектор-база
VCBO
40В
Напряжение коллектор-эмиттер
VCEO
20В
Напряжение эмиттер-база
VEBO
5В
Ток коллектор
IC
0,5А
Постоянная рассеиваемая мощность
PС
0,63Вт
Температурный диапазон
Tmin-max
от −55 до 150 град. Цельсия
Напряжение пробоя коллектор-база
BVCBO
40В
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
BVCEO
20В
Напряжение пробоя эмиттер-база
BVEBO
5В
Обратный ток коллектора
ICBO
100нА
Обратный ток эмиттера
IEBO
100нА
Коэффициент усиления по постоянному току (VCE =1В, IC =50мА)
hFE1
от 64 до 202, тип. 120
Коэффициент усиления по постоянному току (VCE =1В, IC =500мА)
hFE2
120
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
VCE (нас)
0,6В
Напряжение насыщения база-эмиттер
VBE (нас)
1,2В
Напряжение база-эмиттер
VBE (on)
0,7В
Классификация по величине hFE
Производители выпускают 5 модификаций транзистора. Между собой они отличаются диапазоном коэффициента усиления по току. Каждому типу присваивается латинская буква, которая добавляется в маркировке после основных цифр 9013. Соответствие буквенной маркировки и конкретных значений диапазонов hFE, приведены в таблице.
Типы
D
E
F
G
H
hFE1
64
Маркировка и параметры
Тип
Pc
Ucb
Uce
Ueb
Tj
Cc
Ic
hfe
ft
Корпус
CS9013
0.6 W
25 V
25 V
3 V
150 °C
20 pf
1 A
64
200 MHz
TO-92
CS9013D
0.6 W
25 V
25 V
3 V
150 °C
20 pf
0.1 A
64
200 MHz
TO-92
CS9013E
0.6 W
25 V
25 V
3 V
150 °C
20 pf
0.1 A
78
200 MHz
TO-92
CS9013F
0.6 W
25 V
25 V
3 V
150 °C
20 pf
0.1 A
96
200 MHz
TO-92
CS9013G
0.6 W
25 V
25 V
3 V
150 °C
20 pf
0.1 A
118
200 MHz
TO-92
CS9013H
0.6 W
25 V
25 V
3 V
150 °C
20 pf
0.1 A
144
200 MHz
TO-92
CS9013I
0.6 W
25 V
25 V
3 V
150 °C
20 pf
0.1 A
180
200 MHz
TO-92
FCS9013
0.6 W
25 V
25 V
3 V
150 °C
20 pf
0.1 A
64
200 MHz
TO-92
FCS9013D
0.6 W
25 V
25 V
3 V
150 °C
20 pf
0.1 A
64
200 MHz
TO-92
FCS9013E
0.6 W
25 V
25 V
3 V
150 °C
20 pf
0.1 A
78
200 MHz
TO-92
FCS9013F
0.6 W
25 V
25 V
3 V
150 °C
20 pf
0.1 A
96
200 MHz
TO-92
FCS9013G
0.6 W
25 V
25 V
3 V
150 °C
20 pf
0.1 A
118
200 MHz
TO-92
FCS9013H
0.6 W
25 V
25 V
3 V
150 °C
20 pf
0.1 A
144
200 MHz
TO-92
FCS9013I
0.6 W
25 V
25 V
3 V
150 °C
20 pf
0.1 A
180
200 MHz
TO-92
GS9013
0.6 W
25 V
25 V
3 V
150 °C
20 pf
1 A
64
200 MHz
TO-92
GS9013D
0.6 W
25 V
25 V
3 V
150 °C
20 pf
0.1 A
64
200 MHz
TO-92
GS9013E
0.6 W
25 V
25 V
3 V
150 °C
20 pf
0.1 A
78
200 MHz
TO-92
GS9013F
0.6 W
25 V
25 V
3 V
150 °C
20 pf
0.1 A
96
200 MHz
TO-92
GS9013G
0.6 W
25 V
25 V
3 V
150 °C
20 pf
0.1 A
118
200 MHz
TO-92
GS9013H
0.6 W
25 V
25 V
3 V
150 °C
20 pf
0.1 A
144
200 MHz
TO-92
GS9013I
0.6 W
25 V
25 V
3 V
150 °C
20 pf
0.1 A
180
200 MHz
TO-92
S9013H
0.625 W
40 V
25 V
5 V
150 °C
0.5 A
144
150 MHz
TO-92
S9013I
0.625 W
40 V
25 V
5 V
150 °C
0.5 A
190
150 MHz
TO-92
S9013LT1
0.225 W
40 V
20 V
5 V
150 °C
0.5 A
100
SOT23
S9013T
0.625 W
40 V
25 V
5 V
150 °C
0.5 A
64
150 MHz
TO-92
S9013W
0.2 W
40 V
25 V
5 V
150 °C
8 pf
0.5 A
120
150 MHz
SOT323
SS9013
0.625 W
40 V
20 V
150 °C
0.5 A
64
TO-92
STS9013
0.625 W
40 V
30 V
5 V
150 °C
7 pf
0.5 A
96
140 MHz
TO-92
Аналоги и комплементарная пара
Аналог
VCEO
IC
PC
hFE
fT
S9013
25
0,5
0,625
64
150
Отечественное производство
КТ315Г
35
0,1
0,15
50
250
КТ3102А
50
0,1
0,25
100
150
КТ680А
25
0,6
0,35
85
120
Импорт
2SC1008
60
0,75
0,75
60
100
BC537
60
1
0,625
50
120
BC538
80
1
0,625
50
120
KSC1008
60
0,7
0,8
40
30
KSC1009
140
0,7
0,8
40
30
KSP05
60
0,5
0,625
50
100
KSP06
80
0,5
0,625
50
100
KSP42
300
0,5
0,625
40
50
KSP43
200
0,5
0,625
40
50
MPS6532
30
0,6
0,31
30
200
MPSA42
300
0,5
0,625
25
50
MPSA43
200
0,5
0,625
25
50
MPSW01A
40
1
1
50
50
MPSW01AG
50
1
1
60
50
MPSW05
60
0,5
1
60
50
MPSW05G
60
0,5
1
60
50
MPSW06
80
0,5
1
80
50
MPSW06G
80
0,5
1
60
50
MPSW42
300
0,5
1
40
50
MPSW42G
300
0,5
1
40
50
Примечание: все характеристики транзисторов аналогов взяты из даташип производителя.
Для комплементарной пары рекомендуется использовать транзистор прямой проводимости S9012.
Зависимость тока коллектора от выходного напряжения
На графике представлена выходная вольтамперная характеристика биполярного транзистора. Он интересен тем, что на форму кривых влияют практически все основные электрические параметры полупроводникового элемента. Семейство линий представляет собой ступенчатое открытие транзистора по мере увеличения тока базы. Это активный (усилительный) режим работы элемента. На графике это последовательность практически горизонтальных линий, свидетельствующих о нарастании тока коллектора с ростом тока базы.
Режим отсечки на графике – это область, граничащая с осью Х (напряжение коллектор-эмиттер). Транзистор закрыт – ток коллектора практически отсутствует.
Режим насыщения – это вертикальная зона семейства кривых, в непосредственной близости от оси Y. Падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер минимально.
Согласно своим техническим характеристикам, высокочастотный биполярный транзистор S9013 (c9013) отличается повышенной мощностью (до 625 мВт), большим коллекторным током (до 500 мА) и хорошей линейностью коэффициента Hfe. Поэтому он часто используется в выходных каскадах усилителей класса В (до 1 Вт) и портативных радиостанциях. Но, может применяться и в ключевых схемах. Этот эпитаксиально-планарный кремниевый полупроводниковый триод имеет структуру n-p-n.
Распиновка
Технические характеристики
Транзистор S9013 (ТО-92) имеет такие максимально допустимые технические характеристики (при температуре окружающей среды +25 О С):
Устройства в корпусе SOT-23 имеют меньшую допустимую мощность рассеивания — до 300 мВт. Также стоит отметить, что параметр Uкэ max у современных производителей может немного отличатся на ± 5 В.
Электрические
Классификация
В зависимости от статического коэффициента передачи по току (hfe) при VCE (Uкэ) = 1В и IC (Iк) =50 мА, рассматриваемое устройство подразделяют на семь классов: D (64-91); Е (78-112); F (96-135); G (112-166); H (144-202); I (190-300), J (300-400). Как видно из классификации, максимальным hfe обладают транзисторы S9013I и S9013J. В продаже наиболее чаще встречаются S9013H и S9013G, реже S9013D.
Аналоги
У транзистора S9013 отсутствуют полные аналоги. SS9013, C9013, MMBT9013, KTC9013 не в счёт, так как они фактически тоже самое, просто с другой маркировкой. На наш взгляд эта лучшая альтернатива рассматриваемому устройству. Но если таких нет, то можно использовать в качестве замены другие, например: S8050, 2N3904, 2N4401, BC547, BC337, 2N2222 и т. д.
Символ «S», в начале обозначения, s9013 указывает на первого производителя этого транзистора — компанию Samsung Semiconductor.
Наиболее подходящим российским аналогом можно считать КТ530. Однако он имеет другую цоколевку (Э Б К), поэтому будьте внимательны при замене. В таком качестве можно рассмотреть также, незначительно отличающуюся по параметрам, отечественную серию КТ680.
Комплементарная пара
Рекомендуемой комплементарной парой, со структурой p-n-p, для рассматриваемого прибора является транзистор S9012.
Производители
На российском рынке представлены следующие производители данного изделия: Micro Commercial Components (MCC), Fairchild Semiconductor. Кликнув по наименованию производителя можно скачать datasheet от s9013. Его так же производят следующие компании: Daya Electric Group, Korea Elrctronics (KEC), Jiangsu Semiconductor, Unclassifed Manufacturers, NanjingGroup, Tiger Electronic (TGS), Diode Semiconductor, Dongguan Electronics, Guangdong Hottech Industrial, Jiangsu Electronics Technology, SeCoS Halbleitertechnologie, Sunmate Electronic и др.
Согласно техническим характеристикам биполярный транзистор S9013 – является высокочастотным и имеет n-p-n структуру. Он достаточно мощный (625 мВт), выдерживает большой коллекторный ток (500 мА) и имеет неплохую линейность к-та усиления hfe. Его часто используют в выходных каскадах УНЧ и портативных радиостанциях. Реже его можно встретить в ключевых схемах. Изготавливают его по эпитаксиально-планарной технологии.
Цоколевка
S9013 изготавливается в двух исполнениях: в пластиковом корпусе ТО-92, имеющем гибкие выводы – для дырочного, и в SOT-23 для поверхностного монтажа. В первом варианте (ТО-92) выводы расположены в следующем порядке: эмиттер, база и коллектор. Внешний вид транзистора приведён на рисунке.
Технические характеристики
Рассмотрим предельно допустимые характеристики транзистора S9013. При их превышении транзистор выйдет из строя. Они были измерены при температуре +25°С и представлены ниже в списке:
Теперь перейдём к рассмотрению электрических параметров S9013. Они также важны, так как от них тоже зависят возможности транзистора. Их тестирование проводилось при температуре +25°С. Остальные параметры измерения можно найти в колонке «Условия измерения».
Электрические характеристики транзистора S9013 (при Т = +25°C)
Параметры
Обозн.
Условия измерения
min
typ
max
Ед. изм
Пробивное напряжение К –Э
Uкэ(проб.) (V (BR)CBO )
IК = 100 мкA, IЭ=0
40
В
Пробивное напряжение К – Б
Uкб(проб.) (V (BR)CЕO )
IК= 1 мA, IЭ=0
25
В
Пробивное напряжение Э – Б
Uэб(проб.) (V (BR)ЕВO )
IЭ=100 мкA, IК=0
5
В
Обратный ток К — Б
Iкбо (ICBO)
Uкб = 40 В, IЭ = 0
0,1
мкА
Обратный ток К — Э
Iкэо (ICЕO)
Uкб = 20 В, IЭ = 0
0,1
мкА
Обратный ток эмиттера
Iэбо (IЕВO)
Uэб= 5 В, IК=0
0,1
мкА
Статический к-т передачи тока
h21э
IК= 50 мA, Uкэ= 1 В
64
IК= 500 мA, Uкэ= 1 В
40
Напряжение насыщения К — Э
Uкэ(нас.) (VCE(sat))
IК= 500 мA, IБ= 50 мA
0,6
В
Напряжение насыщения Б — Э
Uбэ(нас.) (VВE(sat))
IК= 500 мA, IБ= 50 мA
1,2
В
Граничная частота к-та передачи тока
fгр
Uкэ= 6 B,IК= 20 мA
150
МГц
Кроме этого, производители дополнительно делят транзисторы S9013 на семь классов, в зависимости от статического к-та усиление по току (hfe):
Аналоги
Транзисторов которые были бы полным аналогом S9013 нет, но можно попытаться заменить его на такие зарубежные устройства:
При замене нужно быть осторожным и перед принятием решения ознакомиться с технической документацией и после этого решать, подойдёт ли данный конкретный транзистор для замены. В качестве аналога также можно использовать отечественный КТ580, но он имеет другую распиновку. Также вместо S9013 можно попытаться установить КТ680, но к него немного другие параметры. Имеется также комплементарной пара – S9012.
Производители и Datasheet S9013
Производством занимаются такие фирмы:
На российском рынке представлены следующие производители данного изделия:
Транзистор S9013: аналоги, характеристики, схемы, чем заменить
Аналоги (замена) транзистора S9013:
Type
Mat
Struct
Pc
Ucb
Uce
Ueb
Ic
Tj
Ft
Hfe
Caps
2N4401SC
Si
NPN
0.35
75,00
40,00
6,00
0.6
150,00
250,00
150,00
SOT23
2SC1741AM
Si
NPN
0.3
50,00
50,00
5,00
0.5
150,00
250,00
120,00
SOT23
2SD1501
Si
NPN
1,00
70,00
1,00
150,00
250,00
SOT23
2STR1160
Si
NPN
0.5
60,00
60,00
5,00
1,00
150,00
250,00
SOT23
3DG1741AM
Si
NPN
0.3
50,00
50,00
5,00
0.5
150,00
250,00
120,00
SOT23
50C02CH-TL-E
Si
NPN
0.7
60,00
50,00
5,00
0.5
150,00
500,00
300,00
SOT23
8050HQLT1
Si
NPN
0.3
40,00
25,00
5,00
1.5
150,00
150,00
SOT23
8050QLT1
Si
NPN
0.3
40,00
25,00
5,00
0.8
150,00
150,00
SOT23
8050SLT1
Si
NPN
0.3
40,00
25,00
5,00
0.5
150,00
150,00
120,00
SOT23
BC817-25
Si
NPN
0.31
50,00
45,00
5,00
0.5
150,00
200,00
160,00
SOT23
BC817-40
Si
NPN
0.31
50,00
45,00
5,00
0.5
150,00
200,00
250,00
SOT23
BC817K-16
Si
NPN
0.5
50,00
45,00
5,00
0.5
170,00
160,00
SOT23
BC817K-25
Si
NPN
0.5
50,00
45,00
5,00
500,00
170,00
160,00
SOT23
BC817K-40
Si
NPN
0.5
50,00
45,00
5,00
500,00
170,00
160,00
SOT23
BCV47
Si
NPN
0.36
80,00
60,00
10,00
0.5
150,00
170,00
10000,00
SOT23
BCW66KG
Si
NPN
0.5
75,00
45,00
5,00
0.8
170,00
160,00
SOT23
BCW66KH
Si
NPN
0.5
75,00
45,00
5,00
0.8
170,00
250,00
SOT23
BSP52T1
Si
NPN
1.5
100,00
80,00
5,00
0.5
150,00
150,00
5000,00
SOT23
BSP52T3
Si
NPN
1.5
100,00
80,00
5,00
0.5
150,00
150,00
5000,00
SOT23
CD4024
Si
NPN
90,00
36,00
12,00
175,00
175,00
SOT23
CHT9013GP
Si
NPN
0.3
45,00
25,00
5,00
0.5
150,00
150,00
120,00
SOT23
CMPT3820
Si
NPN
0.35
80,00
60,00
5,00
1,00
150,00
150,00
200,00
SOT23
CMPT491E
Si
NPN
0.35
80,00
60,00
5,00
1,00
150,00
150,00
200,00
SOT23
D965ASS
Si
NPN
0.75
40,00
30,00
7,00
5,00
150,00
150,00
230,00
SOT23
DNLS160
Si
NPN
0.3
60,00
1,00
150,00
200,00
SOT23
DSS30101L
Si
NPN
0.6
30,00
1,00
250,00
300,00
SOT23
DTD163TA
Si
NPN
0.6
50,00
40,00
5,00
0.5
150,00
250,00
SOT23
DTD163TF
Si
NPN
0.3
50,00
40,00
5,00
0.5
150,00
250,00
SOT23
DTD163TL
Si
NPN
0.3
50,00
40,00
5,00
0.5
150,00
250,00
SOT23
DTD163TS
Si
NPN
0.3
50,00
40,00
5,00
0.5
150,00
250,00
SOT23
DTD163TV
Si
NPN
0.6
50,00
40,00
5,00
0.5
150,00
250,00
SOT23
F8050HPLG
Si
NPN
0.3
40,00
25,00
5,00
0.5
150,00
150,00
120,00
SOT23
FMMT2222AR
Si
NPN
0.33
75,00
40,00
6,00
0.6
150,00
300,00
120,00
SOT23
FMMT493A
Si
NPN
0.5
60,00
1,00
150,00
500,00
SOT23
FMMTL619
Si
NPN
0.5
50,00
1.25
180,00
300,00
SOT23
KC817A-25
Si
NPN
0.31
50,00
45,00
5,00
0.5
150,00
170,00
160,00
SOT23
KC817A-40
Si
NPN
0.31
50,00
45,00
5,00
0.5
150,00
170,00
250,00
SOT23
KST8050S
Si
NPN
0.3
40,00
25,00
5,00
0.5
150,00
150,00
120,00
SOT23
KST9013
Si
NPN
0.3
40,00
25,00
5,00
0.5
150,00
150,00
120,00
SOT23
KST9013C
Si
NPN
0.3
40,00
25,00
5,00
0.5
150,00
150,00
144,00
SOT23
KTC9013SC
Si
NPN
0.35
40,00
30,00
5,00
0.5
150,00
150,00
200,00
SOT23
MMBT8050D
Si
NPN
0.3
40,00
25,00
5,00
0.5
150,00
150,00
200,00
SOT23
MMS8050-H
Si
NPN
0.3
40,00
25,00
5,00
0.5
150,00
150,00
200,00
SOT23
MMS8050-L
Si
NPN
0.3
40,00
25,00
5,00
0.5
150,00
150,00
120,00
SOT23
MMS9013-H
Si
NPN
0.3
40,00
25,00
5,00
0.5
150,00
150,00
200,00
SOT23
MMS9013-L
Si
NPN
0.3
40,00
25,00
5,00
0.5
150,00
150,00
120,00
SOT23
MPS8050SC
Si
NPN
0.35
40,00
25,00
5,00
1.2
150,00
150,00
200,00
SOT23
N0501S
Si
NPN
1,00
60,00
50,00
6,00
1,00
150,00
150,00
135,00
SOT23F
NSS40201L
Si
NPN
0.54
40,00
4,00
150,00
200,00
SOT23
NSS40201LT1G
Si
NPN
0.54
40,00
40,00
6,00
2,00
150,00
150,00
200,00
SOT23
NSS60201LT1G
Si
NPN
0.54
60,00
4,00
150,00
SOT23
NSV40201LT1G
Si
NPN
0.54
40,00
40,00
6,00
2,00
150,00
150,00
200,00
SOT23
PBSS4041NT
Si
NPN
0.3
60,00
60,00
5,00
3.8
150,00
175,00
300,00
SOT23
PBSS4140T
Si
NPN
0.3
40,00
40,00
5,00
1,00
150,00
150,00
300,00
SOT23
PBSS4160T
Si
NPN
0.3
80,00
60,00
5,00
1,00
150,00
150,00
250,00
SOT23
S8050
Si
NPN
0.3
40,00
25,00
5,00
0.5
150,00
150,00
120,00
SOT23
S8050LT1
Si
NPN
0.3
40,00
25,00
5,00
0.5
150,00
150,00
120,00
SOT23
S9013
Si
NPN
0.3
40,00
25,00
5,00
0.5
150,00
150,00
120,00
SOT23
ZXTC2045E6
Si
NPN*PNP
1.1
40,00
30,00
7,00
1.5
150,00
180,00
SOT236
ZXTN07045EFF
Si
NPN
1.5
45,00
4,00
150,00
400,00
SOT23F
ZXTN19100CFF
Si
NPN
1.5
100,00
4.5
150,00
200,00
SOT23F
ZXTN2040F
Si
NPN
0.35
40,00
1,00
150,00
300,00
SOT23
ZXTN25040DFH
Si
NPN
1.25
40,00
4,00
190,00
300,00
SOT23
ZXTN25040DFL
Si
NPN
0.35
40,00
1.5
190,00
300,00
SOT23
ZXTN25050DFH
Si
NPN
1.25
50,00
4,00
200,00
240,00
SOT23
ZXTN25100DFH
Si
NPN
1.25
100,00
2.5
175,00
300,00
SOT23
ZXTN649F
Si
NPN
0.5
25,00
3,00
200,00
SOT23
Биполярный транзистор S9013 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: S9013
Классификация по hFE
Транзисторы серии S9013 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор S9013D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 64 до 91, S9013E — в диапазоне от 78 до 112, S9013F — в диапазоне от 96 до 135, S9013G — в диапазоне от 112 до 166, S9013H — в диапазоне от 144 до 202, S9013I — в диапазоне от 190 до 300.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для S9013 является транзистор S9012 c p-n-p структурой.